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双脉冲测试前沿信息_mosfet双脉冲测试(2024年11月实时热点)

内容来源：网络红人排行榜所属栏目：教程更新日期：2024-11-27

双脉冲测试

Cadence一月：从零到仿真国庆节后，我正式加入了实验室，现在刚好一个月，想和大家分享一下我的学习心得～基础理论学习 𐟓š 首先，我仔细研读了关于IGBT和SiC驱动电路的两篇硕士论文，还有关于双脉冲测试和三段式驱动的论文。这些理论知识的积累对我来说非常宝贵。开始使用Cadence 𐟒𛊦œ쥑诼Œ我终于开始入门Cadence。在实验室的服务器上，我尝试复现一些电路设计。在这个过程中，我向学长请教了电路系统的结构和每个模块的功能，也学到了很多电路设计的经验值。复现电路设计 𐟔犧”𑤺Ž需要更换工艺，我自行调节了器件的相关参数。目前，我已经仿真了新工艺库中某些管子的基本参数，初步按照比例进行了调整。仿真结果显示，如果参数满足要求，我就不再改动；如果不满足，就需要重新设计尺寸。仿真实践 𐟓ˆ 学长建议我从驱动部分开始搭建。关于NMOS驱动的仿真，我虽然经验不足，但通过不断尝试和调整，逐渐能够看出传输延时、上升时间和下降时间等指标是否满足要求。结语 𐟌Ÿ 这段时间的学习让我感受到了研究生的日常氛围，感觉自己已经融入了这个团队。期待未来能在这个领域取得更多的进步！

一种适用于高频和高温应用的嵌入式碳化硅（SiC）功率模块，该模块具有低寄生电感和低热阻。SiC MOSFET采用倒装配置，并使用铜连接块，这有助于提高开关性能和散热效果。模拟结果显示总寄生电感低于300pH。与商业封装相比，双脉冲测试和热阻实验表明，所提出的模块的开关损耗和结到壳体电阻分别降低了23%和35%。

如何进行IGBT双脉冲测试

【用Python自动化双脉冲测试】本文介绍了如何使用Python脚本自动化双脉冲测试（DPT）的过程，为那些希望提高电力电子设备测试效率和精确度的工程师提供了一个实用的自动化解决方案。网页链接「张国斌的芯发布」

如何进行IGBT双脉冲测试

宽带隙功率半导体双脉冲测试解决方案

三极管怎么测量三极管是电子电路中不可或缺的一部分，它们被广泛用于放大、开关和稳压等应用。对于电子工程师和技术人员来说，了解如何判断三极管的工作状态是非常重要的。本文将介绍几种实用的方法来判断三极管的工作状态。测试工具准备 𐟛 ️ 在进行任何测试之前，首先要准备好一些基本的测试工具，包括数字万用表、示波器和二极管测试仪。这些工具可以帮助你测量电流、电压和信号波形，从而判断三极管的工作情况。静态测试 𐟓Š 通断测试：使用数字万用表的二极管测试功能，将正负极正确连接到三极管的发射极和基极，观察显示的正向导通电压（0.6V~0.7V）或反向截止状态（无电压），来判断三极管是否处于导通状态。放大倍数测试：通过设置数字万用表为电流测量模式，将三极管接入电路后，测量输入和输出端口的电流，计算得出三极管的放大倍数。动态测试 𐟚€ 双脉冲测试：利用示波器观察输入信号和输出信号，在输入端施加一个方波信号，观察输出端产生的信号波形，判断三极管的放大效果和响应速度。增益测量：通过频谱仪对三极管进行频率响应测试，测量不同频率下的增益值，以及频率特性曲线，验证其性能。替换法 𐟔„ 如果以上测试方法难以判断三极管的工作状态，可以尝试用同型号、相同规格的新三极管替换原有的三极管，观察电路工作情况是否改善。注意事项 ⚠️ 在测试三极管时，务必确保电路断电，并按照正确的测试步骤进行操作，避免损坏设备或引发安全隐患。非专业人士在测试三极管时应注意防静电，避免静电放电对元件造成损害。对于复杂电路中的三极管，建议结合电路原理图和技术规格书来辅助判断三极管的工作状态。通过以上介绍的静态测试、动态测试和替换法等方法，可以有效地判断三极管的工作状态，帮助电子工程师和技术人员解决电路故障和设计问题。在实际工作中，熟练掌握这些测试方法，并结合实际经验，能够更快、更准确地诊断和解决与三极管相关的电路故障，提高工作效率和电路可靠性。

应用笔记｜智能隔离驱动NSI6611的半桥应用和双脉冲测试

电子工程在实际工作中的运用与挑战在前两篇文章中，我们详细探讨了整机产品开发中电子工程师的基本职业范围，包括产品开发的流程、与哪些职能的人合作、样机的调试步骤以及项目的迭代周期。此外，还介绍了硕士毕业生从事电子工程师的薪资情况。这次，我们来聊聊半导体公司的应用工程师（AE, application engineer）的职责范围和工作节奏。半导体公司的类型 𐟏튊首先，需要明确的是，半导体公司有多种类型，每家公司的特长产品不同。与电力电子强相关的公司主要涉及电源管理类和功率半导体，还有一些模拟IC的公司。电源管理类的公司包括矽杰、杰特、M*S等；功率半导体的公司有士微、扬J、华R微等，还有以车规隔离、运放等为明星产品的纳X微，以及高性能模拟IC的圣B微等。 AE的职责范围 𐟔犊AE的职责范围主要包括以下几个方面：研发样机：研发这一代芯片使用的样机，规划下一代芯片的参数和规格。电子电路仿真：进行具体应用拓扑的参数和磁件设计等。产品Demo研制：原理图设计、样机调试、测试问题跟踪和解决。芯片参数优化：给出芯片参数优化方向。客诉处理：可能也会涉及客诉问题处理。撰写文档：撰写样机介绍文档和规格书。电源管理类半导体公司 𐟔‹ 在电源管理类半导体公司，AE团队通常使用本公司的电源管理IC设计制作一个样机，例如手机充电头。这需要优化效率、体积，并考虑EMC问题，几乎接近于实际的产品研发。功率半导体公司 𐟒ꊊ在功率半导体公司，由于每一款管子都研制样机不太现实，成本和人力要求太高，AE团队侧重要求精通半导体器件的各种动静态参数。动态参数测试需要AE设计和制作双脉冲电路测试，并精通仿真软件对不同功率等级、不同拓扑结构的系统的控制策略、管子损耗和温升等进行仿真。此外，还需要考虑各种线路以及管子内部的寄生参数对器件开关波形的影响。总结 𐟓 以上是关于半导体AE的基本情况。下次我们将继续探讨电源工程师和AE往上发展的职业方向有哪些。如果觉得这篇文章有用，请点赞关注哦！如果有遗漏或错误，欢迎大佬们不吝赐教，帮我批评指正，阿里嘎多！