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cmos工艺权威发布_cmos是什么芯片(2024年11月精准访谈)

内容来源：网络红人排行榜所属栏目：观点更新日期：2024-11-29

cmos工艺

FD-SOI：半导体新星✨ FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）是一种革命性的半导体制造技术，它凭借两项关键创新引领半导体行业的进步： 1️⃣ 创造超薄绝缘层：在衬底上制造一层超薄的绝缘层，即埋氧层（Buried Oxide Layer，简称BOX），为晶体管提供稳定的物理基础。 2️⃣ 薄硅膜技术：使用极薄的硅膜来构建晶体管的沟道，使得沟道区域更加精细。由于沟道极薄，FD-SOI技术无需传统掺杂，耗尽层会充满整个沟道，形成全耗尽型晶体管。这种结构带来了多项优势： 𐟔砩™电性能优越：埋氧层有效降低了源极和漏极之间的寄生电容，减少了电子从源极流向漏极的可能性，从而降低漏电流。 𐟔„ 背面偏置能力：FD-SOI技术能够支持先进的负偏压技术，这有助于提供更宽的动态范围性能。 𐟔‹ 低功耗：FD-SOI工艺可将工作电压降至约0.6V，而传统Bulk CMOS工艺的最低工作电压约为0.9V。 𐟒𞠩똦€稃𝥭˜储设计：SOI工艺非常适合高性能存储设计，例如IBM的Power7处理器就采用了基于SOI的嵌入式存储解决方案。 𐟔砥黎饱•性：FD-SOI技术具有良好的可扩展性，从14nm到7nm，至少可以发展三代工艺技术。此外，FD-SOI工艺还具备以下优点：晶体管匹配特性极佳可使用接近阈值的低电源电压对辐射具有超低敏感性晶体管本征工作速度非常高这些特性使得FD-SOI工艺非常适合移动和消费级多媒体应用，以及高性能、低功耗的处理器设计。 FD-SOI技术由伯克利的前任教授胡正明在2000年发明，随后由欧洲的半导体科研机构和公司如Leti、Soitec、STM等开始投入研发。随着技术的发展，FD-SOI工艺已经在多个领域得到应用，包括IT网络、服务器、消费电子、物联网、汽车电子等。

Fabless Pie求职记𐟒ꊦœ€近刚经历了一次Fabless Pie的求职之旅，感觉有必要和大家分享一下我的心得。整个过程虽然有点紧张，但也收获了不少宝贵的经验。一面：初次交锋，准备充分很重要 𐟒ꊊ第一面的面试官是个年轻的台湾人，他主要问了我一些关于CMOS工艺的细节问题。比如STI、SOI、Spacer这些术语他都要我解释清楚。另外，他还问了我对公司主要产品和侧重点的了解。所以，提前准备这些内容真的很重要。除了专业知识，沟通能力、专业对口和项目领导能力也是加分项。二面：深入拷打，项目和抗压能力是关键 𐟔 第二面主要是对我的项目和抗压能力进行深入拷打。面试官需要我对自己的项目非常了解，包括器件的知识也需要回顾。大家都知道，Fabless Pie的压力很大，需要随时待命，而Fab Pie虽然不用时刻待命，但压力也不小，有时候还需要出差。这些都需要提前考虑清楚。如果你想做Fab Pie然后转Fabless Pie，其实压力也不小。三面：HR面，待遇和意向度是重点 𐟒𐊊最后一面是HR面，主要是聊各种待遇（不是具体薪资）和个人的意向度。从目前来看，Fabless Pie的薪资会明显高于Fab Pie，而且工作压力较小。除了需要出差，我觉得Fabless Pie还不错。面试官也鼓励Fab Pie往Fabless Pie跳槽。不过难点在于HC少，只有个位数。总结：心态放松，准备充分 𐟌ˆ 总的来说，求职过程中心态放松很重要，提前准备好各种可能的问题和答案。无论是一面、二面还是三面，都需要对自己有充分的了解和对公司的了解。希望大家都能顺利拿到心仪的offer！

𐟓š圣邦微25届秋招集成电路笔试题大揭秘𐟓– 最近真是心累了，原来心仪的企业都开始秋招了，结果一个也没轮到我，真是破防了𐟘‚。不过，还是希望我的笔记能对后来者有所帮助。也许我应该考虑转行了，哎，再见吧𐟑‹。如何成为一个出色的模拟设计师？门锁效应：画出横截面示意图和寄生三极管电路，分析原因和解决方法。全差分运放的共模增益和共模抑制比： AVDD 2RD 2RD vo11 Vo2 Vi1 Vi2 gm1 gm2 Vp 多RS (Vo1-Vo2)(Vi1-vi2) CMRR=? DCDC电源控制方案：分析电压控制和电流控制的优缺点。 PMOS替换M2：如果将M2替换为PMOS，需要做哪些改动以保持电路正常工作？请确认Vin的范围内，电路仍能正常工作。 NPN晶体管的横截面图：假设P型衬底和N型外延层，画出NPN晶体管的横截面图。 CMOS工艺中的PNP形成：分析在标准CMOS工艺中为何形成PNP而非NPN。 Vout波形：当开关SW1在t=0秒闭合时，画出预期的Vout波形。Vout是直流电流源。 Vout vs Vi：对于给定电路，画出Vout与Vi的关系图。 SR锁存器：画出SR锁存器的门级电路图。 N-channel MOSFET的Channel Length Modulation：定义“Channel Length Modulation”，并给出N-channel MOSFET在饱和区的漏极电流公式。考虑Channel Length Modulation时，公式如何变化。电路计算：对于给定电路，计算Vout的值。增益和Cc的作用：分析电路的增益和Cc的作用，加入Cc前后电路的零极点位置变化。希望这些题目能帮到你们，祝大家秋招顺利！𐟒ꀀ

AI高速率时代，硅光子迎成长机遇！硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料，利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，是实现光子和微电子集成的理想平台。随着传统微电子、光电子技术逐步步入"后摩尔时代”，砗光产业链逐步完善，硅光子技术作为平台型技术，其高速率、高集成度、低成本、低功耗、小型化等特点正逐步凸显，正被广泛应用于光通信、光传感、光计算等多个领域。 AI发展如火如荼，驱动光通信网络朝着1.6T、3.2T等更高速率持续选代升级，有望给硅光光通信产业带来成长机遇，在数通市场，高速光模块加速选代升级，硅光渗透率有望提升;在电信市场，相干光模块持续升级，硅光光模快需求或将增长;在CPO领域，硅光子技术作为CPO的核心技术之一，有望充分受益于CPO的发展需求，并成为各大厂商的战略布局重心;在 OI0领域，芯片间数据传输不断增大，0I0的技术优势有望不断凸显，作为0I0理想平台的硅光子技术也有望得到进一步发展。硅光应用加速发展，重视产业链投资机会。 (1)硅光光器件/光模块厂商:随着AIGC发展，砗光子技术在高速光通信时代有望迎来发展热潮，对传统光通信产业格局或带来深远影响，一方面硅光器件/模块!商有望充分受益于产业发展，另一方面，硅光芯片具有较高产业壁垒，头部厂商的深度布局有望迎来新一轮产业演化; (2)硅光CW光源供应商:硅光光源集成作为目前硅光子技术一大技术难题，目前外置CW光源是砗光光模块的主流方案，且可进一步应用于CP0等场景，随着光通信速率需求的不断提升，硅光光模块的通道数也随之增长，CW光源需求量有望得到进一步发展;券(3)硅光工艺配套厂商:从硅光工艺流程看，硅光与微电子技术逐步趋同，随着硅光子技术进一步普及及发展，需重视配套工艺设备、软件厂商投资机会。受益标的:中际旭创、源杰科技、新易盛、天孚通信、亨通光电、华工科技、光迅科技、博创科技、剑桥科技、铭普光磁、长光华芯、仕佳光子、杰普特、罗博特科、炬光科技、光库科技、赛微电子、云南诸业、天通股份、凌云光、聚飞光电等。

#我来预测华为mate70##我来预测华为mate70# 华为Mate70系列即将登场，令人期待不已。从已知信息来看，其或将搭载全新升级的麒麟芯片，采用更先进的制程工艺，大幅提升芯片的性能与能效比。屏幕方面，可能配备京东方的ltpo高刷屏，这种低温多晶氧化物屏幕，能实现更低功耗，带来更好的显示效果. 影像系统也值得关注，主摄或采用豪威科技的ov50h传感器，其cmos感光面积、像素等参数表现出色，还支持像素四合一、h/vqpd对焦和dcg hdr等技术，能在不同光照条件下拍出高质量照片. 此外，华为Mate70系列大概率会搭载纯血版鸿蒙系统，端侧AI体验将有所提升，并且盘古大模型有望置入手机端，使运行效率和用户体验更上一层楼. 同时，AI技术还会融入影像、手势控制等功能，如AI辅助拍摄可自动调整对焦、色彩等参数，全新的AI手势技术让用户通过简单手势就能实现对手机的操作.

全球CIS图像传感器芯片市场三大巨头 ### 索尼：全球CIS市场的领头羊 𐟌 市场地位：索尼在CIS图像传感器芯片市场上占据着举足轻重的地位，尤其在高端市场，其市场份额高达50%。技术优势：索尼在图像传感器技术上有着深厚的积累和创新，拥有领先的像素技术、高感光度、低噪声以及出色的色彩还原能力。例如，其开发的背照式CMOS图像传感器技术，大大提高了传感器的感光性能，使得拍摄出的照片和视频在低光环境下也能有出色的表现。应用领域：索尼的产品广泛应用于智能手机、数码相机、安防监控、汽车电子等领域。在智能手机领域，许多高端旗舰手机的主摄和长焦镜头都采用索尼的CIS芯片，以获取高质量的图像拍摄效果。三星：市场的重要参与者 𐟌Ÿ 市场地位：三星在CIS图像传感器芯片市场上也占据着重要地位，市场占有率约为15.9%。技术优势：三星在半导体制造工艺方面具有显著优势，能够将先进的工艺技术应用于CIS芯片的生产，实现高像素、小尺寸、低功耗等性能特点。例如，三星已量产2亿像素的CIS芯片，展现了其在高像素技术方面的实力。应用领域：三星的CIS芯片不仅用于智能手机，还广泛应用于平板电脑、笔记本电脑、安防监控等领域。在智能手机市场，三星作为全球知名的手机厂商，其自身手机产品大量采用自家的CIS芯片，同时也向其他手机厂商供应芯片。韦尔股份（豪威科技）：新兴市场的挑战者 𐟚€ 市场地位：韦尔股份通过收购北京豪威等公司，成为了全球第三的CIS芯片龙头企业，在全球市场份额约为9.9%。技术优势：豪威科技在CIS芯片设计方面拥有丰富的经验和专业技术团队，具备较强的产品研发和创新能力。其产品涵盖了从低像素到高像素的多种规格，能够满足不同应用场景的需求。例如，公司的5000万像素以上CIS新品已应用于一些主流手机品牌的主摄镜头。应用领域：豪威科技的CIS芯片主要应用于智能手机、汽车电子、平板电脑、笔记本电脑、医疗成像等领域。在汽车电子领域，其产品在后视、ADAS、DMS、仪表盘摄像头等方面有广泛应用。

网页链接全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。

摄影入门：探索影像传感器的奥秘 𐟓𘊥䧥彯𜌤𛊥䩦ˆ‘们来聊聊摄影的基础知识，特别是关于影像传感器的内容。希望这些信息能帮到那些对摄影感兴趣的朋友们。传感器是什么？𐟤” 在老式相机中，胶片是感光材料，通过特定的化学处理，可以把拍摄到的影像记录下来。而在数码相机中，这个任务就交给了影像传感器。简单来说，影像传感器就是数码相机的“眼睛”，它负责捕捉光线并转换成电子影像。 CMOS和CCD：老对手的新较量 𐟏† 很多人只知道CMOS传感器，但其实CCD传感器也曾广泛使用。两者的原理类似，但CCD的每个像素都是一个独立的光电体，所以其记录图像信息的精度更高。那么，为什么现在大多数相机都采用CMOS呢？ CCD的优势：高感、高精度、优秀画质 CCD传感器的感光性能好，画质优秀，尤其在低光条件下表现更佳。然而，它的成品率低，生产成本高，价格自然也不便宜，而且耗电量大。 CMOS的魅力：普及、性价比 CMOS传感器采用最常用的CMOS工艺，技术成熟，制造成本较低，易于普及。虽然它的光利用效率低，噪点多，但较大的面积可以带来较高的进光量和较少的噪点。底大一级压死人？𐟘… “底大一级压死人”这句话的意思是，CMOS尺寸越大，拍摄效果就越好。确实，在相同的技术条件下，CMOS面积越大，画质越好。但这也并非绝对，因为CMOS的技术也在不断发展，各大厂商的算法也在不断提升。从前照式到堆栈式：CMOS的进化 𐟚€ 早期的CMOS是前照式，后来发展到了背照式，再到现在的堆栈式CMOS。技术的进步使得CMOS的画质不断提升，与CCD的差距也在逐渐缩小。总结 𐟓 了解影像传感器对于摄影爱好者来说非常重要。虽然CCD传感器曾经风光一时，但CMOS凭借其成熟的技术和较低的成本，逐渐占据了市场的主导地位。随着技术的发展，CMOS的画质也在不断提升，未来的竞争还将更加激烈。希望这些信息能帮助大家更好地理解摄影的基础知识，享受摄影带来的乐趣！

𐟔 JDG管与KBG管大比拼 𐟌 在建筑工程中，JDG管和KBG管是两种常见的管道类型。它们之间有哪些不同呢？让我们一起来看看吧！ 𐟔— **连接方式**： JDG管采用紧定式连接，而KBG管则使用扣压式连接。 𐟓 **线管壁厚**： JDG管的线管壁厚通常不超过1.6mm，而KBG管的线管壁厚则通常不超过1.2mm。 𐟒ᠪ*结构与工作电压**： JDG管为双极型场效应管，具有较宽的工作电压范围，从几伏到几百伏。相比之下，KBG管为单极型场效应管，工作电压范围较窄，通常在几十伏左右。 𐟓⠪*噪声系数与频率响应**： JDG管的噪声系数较低，适合高灵敏度放大器电路。而KBG管的噪声系数较高，更适合功率放大器电路。在频率响应方面，JDG管的范围较宽，可达几百兆赫兹，而KBG管则一般在几十兆赫兹左右。 𐟒𐠪*价格与电性能**：由于制造工艺和电性能的差异，JDG管的价格通常较高。同时，它的电性能也更为出色，具有更高的开关速度和更低的漏电流。而KBG管虽然价格较低，但电性能相对较差。 𐟔頪*材质与生产工艺**： JDG水管由无缝钢管制成，这种钢管具有耐压性能好、壁厚均匀等特点。而KBG水管则由镀锌钢板制成，这种材质具有良好的抗腐蚀性能。在生产工艺上，JDG水管采用SOI工艺，能够保证管道的高精度要求；而KBG水管则采用传统的CMOS工艺。 𐟒꠪*性能特点**： JDG水管因其无缝钢管材料而具有良好的耐压性能和流体稳定性。同时，其表面光滑且材质强度高。相比之下，KBG水管在抵御腐蚀和防止生锈方面具有显著优势。

iPhone 16大改，新功能曝光！ 𐟎‰iPhone 16 最新爆料来啦！还没入手 iPhone 15 的朋友们，你们有福了！𐟎‰ 𐟓这次 iPhone 16 Pro 和 Pro Max 的尺寸终于要变了！Pro 将会变成 6.3 英寸，而 Pro Max 则会变成 6.9 英寸。是不是很期待？ 𐟔奏‘热问题也有了解决方案，新增的石墨烯散热系统加上电池堆叠技术，不仅让电池容量更大、寿命更长，还实现了超级闪速充电，35W 有线快充和 20 瓦无线快充，简直不要太方便！ 𐟎›️最让人心动的莫过于两款 Pro 机型将采用无物理按键设计，开机键、音量键都用马达模拟震动反馈，右侧还增加了类似老式手机的拍照键，一体成型的边框设计真的期待好久啦！ 𐟓𗥽𑥃方面也有大升级！主摄采用了索尼双层晶体管 CMOS，大小接近 1 英寸，长焦镜头则采用了 15Pro Max 同款的 5 倍光学变焦，广角镜头也升级为 4800 万像素。拍照效果更上一层楼！ 𐟒𛥤„理器方面，A18 Pro 采用了第二代 3nm 工艺，CPU 单核性能一骑绝尘，GPU 也需要加强啦。性能更强，体验更流畅！ 𐟤”不过，iPhone 16 Ultra 是作为超大杯出现还是替代了 Pro Max 还不清楚，但相机系统肯定有大变化，是为了配合 vision Pro 拍出更好的空间照片和视频。 𐟑€标准版有两点疑问，一是上不上 120Hz 高刷，二是处理器会不会有 A18，就看 iPhone 15 卖得好不好啦。 𐟘œ大家对 iPhone 16 有什么期待呢？欢迎留言分享哦！