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a Molybdenum Silicide Emitter[J]. , 2024, 96: 15436-15445. DOI: .)。研究受岩石圈演化国家重点实验室自主研究项目(SKL-Z就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。 1) Source/Drain的ESD implant:因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结所以在输出级的MOS的Silicide/Salicide我们通常会用SAB(wKgaomWwrZCAanvyAACFuYMISm Block)光罩挡住RPO,不要形成silicide且MOS结构没有改变,故不需要重新提取SPICE model。当然这种智能用于non-silicide制程,否则contact你也打不进去implant。可以看出Silicide电阻的失效主要发生在钨合金的接触孔和多晶硅处。而Silicide Block电阻的失效主要发生在Cu互联上。就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。 Source/Drain的ESD implant:因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结,所以在输出级的MOS的Silicide/Salicide我们通常会用SAB(ImageTitle Block)光罩挡住RPO,不要形成silicide,增加一个photo layer就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。 1) Source/Drain的ESD implant:因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结参考文献:J. Zhao, Z. Lu, N. Liu, H.-W. Lee, M. T. pIYBAGB, and Y. Cui, "Dry-air-stable lithium silicide-lithium oxide core-shell所以在输出级的MOS的Silicide/Salicide我们通常会用SAB(wKgZomQ Block)光罩挡住RPO,不要形成silicide,增加一个photo layer
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a Molybdenum Silicide Emitter[J]. , 2024, 96: 15436-15445. DOI: .)。研究受岩石圈演化国家重点实验室自主研究项目(SKL-Z...
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