当前位置：网站首页 » 热点 » 内容详情

深硅刻蚀最新视觉报道_刻蚀设备是什么(2024年12月全程跟踪)

内容来源：网络红人排行榜所属栏目：热点更新日期：2024-12-03

深硅刻蚀

博世半导体：从防抱死系统到MEMS传感器博世在半导体领域的旅程始于上世纪70年代。1970年代，博世开始生产二极管、晶体管和IC等半导体组件，正式涉足半导体制造。1978年，博世凭借其在数字电子元件领域的专业知识，推出了ABS防抱死制动系统，成为汽车领域的技术标准。 1995年，博世开始大规模生产首款用于发动机管理的压力MEMS传感器。此后，博世开发了可测量加速度、旋转、压力和声音的众多MEMS传感器，并广泛应用于消费领域。在MEMS工艺领域中，有一个非常著名的“Bosch工艺”。Bosch工艺是一种在半导体制造中广泛使用的技术。它采用了独特的脉冲模式，包括刻蚀阶段和钝化阶段的交替进行。Bosch工艺是一种等离子体增强化学刻蚀技术，也被称为反应离子刻蚀，是深硅刻蚀工艺的一种。同时，博世也在半导体生产方面取得了显著成就。德累斯顿晶圆厂：总投资额达到约10亿欧，于2021年6月正式开业，是一个高度自动化、完全联网的工业4.0工厂。罗伊特林根半导体中心：生产6inch和8inch晶圆。2021年底起就在罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅SiC芯片。这些芯片被广泛应用于电动和混动汽车。此外，博世计划进一步扩大该厂产能。

硅通孔（Through silicon via, TSV）互连结构在先进封装领域中是最为普遍的结构。TSV技术是指在硅介质层上开孔并填充导体﹐以实现介质层上下方垂直互连的技术。TSV结合微凸点，可在三维方向上获得最大的堆叠密度及最小的外形尺寸，通过硅通孔的垂直电气互连以实现更小的互连长度、降低信号延迟以及减小电容和电感，显著提升系统性能，降低系统功耗，是继引线键合和倒装芯片之后的第三代封装互连技术。深孔刻蚀是TSV的关键工艺，目前通孔方法主要有Bosch刻蚀、激光钻孔和湿法刻蚀三种，其中Bosch刻蚀是首选技术。Bosch刻蚀是一种典型的深反应离子刻蚀(Deep reactive ion etching, DRIE)工艺，分为刻蚀和钝化两个循环周期，通常选择ICP刻蚀设备。ICP刻蚀设备通过特设计的双等离子体源实现对腔室内等离子体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。

通过在晶圆表面先沉积一层氧化硅，然后通过光刻定义波导形状（在这一步里，把深浅刻蚀波导的形状都要定义出来）刻蚀氧化硅，然后去掉氧化硅上的光刻胶掩模，再以氧化硅为掩模来刻蚀基底材料，从而完成浅刻蚀。完成浅刻蚀之后，在需要深刻蚀的地方，先用光刻胶覆盖住，然后在晶圆表面低温多次沉积氧化硅，然后剥离，光刻胶上的氧化硅被去掉，从而浅刻蚀的地方被保护住，从而完成仅对深刻蚀区域的刻蚀。总的来说，是先通过刻蚀浅波导，然后深刻蚀波导区域在浅刻蚀波导的地方继续下刻，不需要深刻蚀的地方盖住，从而完成一种自对准。

半导体设备：刻蚀机：北方华创、中微公司； PVD：北方华创； CVD：北方华创、中微公司、拓荆科技；离子注入：万业企业；炉管设备：北方华创、晶盛机电；检测设备：精测电子、华峰测控、长川科技；清洗设备：北方华创、至纯科技、盛美上海；其他设备：芯源微、大族激光、锐科激光；　　半导体材料：大硅片：沪硅产业、TCL中环；靶材：江丰电子、阿石创、隆华科技、有研新材；高纯试剂：上海新阳、江化微、晶瑞股份、巨化股份；特种气体：雅克科技、华特气体、南大光电；抛光材料：安集科技、鼎龙股份；光刻胶：南大光电、飞凯材料、容大感光、晶瑞股份；其他材料：神工光伏、菲利华、石英股份；代工：华虹公司、华润微；封测：长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、深科技；设计： CPU：中科曙光、澜起科技、中国长城；　GPU：景嘉微； FPGA：紫光国微、复旦微； IP：芯原股份、寒武纪； EDA：华大；指纹识别：汇顶科技、兆易创新；摄像头芯片：韦尔股份、格科微、汇顶科技；存储芯片：兆易创新、国科微、北京君正；射频芯片：卓胜微、三安光电；数字芯片：晶晨股份、乐鑫科技、瑞芯微、全志科技；模拟芯片：圣邦股份、韦尔股份、汇顶科技；功率芯片：斯达半导、士兰微、捷捷微电、晶丰明源。

有研硅跌2.14%，成交额7376.79万元，主力资金净流出384.65万元

【IWAPS】光刻胶和底层涂料--材料、图案和图案转移工艺的最新进展来自Pibond的Feng Xu作了题为《光刻胶和底层涂料--材料、图案和图案转移工艺的最新进展》的报告。我们已经开发了各种硅基抗蚀材料和各种底层材料。这些材料被应用于传统光刻、极紫外光刻（EUVL）、纳米压印光刻（NIL）以及电子束写入等各种图形化工艺中。在我们的报告中，阐述了为纳米压印光刻（NIL）工艺选择合适底层材料的益处。纳米压印光刻工艺在光子应用中极具效用，例如超材料领域中，在基底上可以印刷具有复杂形状、尺寸和间距的图案。报告对超材料的图形化和刻蚀转移过程进行了展示，以及对有底层和无底层时可实现的深宽比进行比较，同时简述了选择合适底层对光刻中光刻胶性能的影响，特别介绍了在改善曝光宽容度和线宽粗糙度方面的光刻胶性能。

【有研硅】：拟收购控股股东所持DGT 70%股权 2024年11月1日，有研硅（688432）公告，公司拟以支付现金的方式收购株式会社RS Technologies持有株式会社DG Technologies的70%股权。截至公告披露日，交易双方已签署《股权收购意向协议》，但尽调及审计评估工作尚未完成，未签署正式的交易协议。 RST系公司控股股东，属于关联法人，本次交易构成关联交易，预计不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。本次交易的资金将由公司根据交易双方最终确认的交易价格，拟以公司自有资金进行现金支付。据介绍，DGT 主营业务为刻蚀设备用部件（包括硅部件和石英部件）的研发、生产和销售，拥有成熟的硅精密加工技术和表面处理技术。有研硅生产的刻蚀设备用硅材料是 DGT 生产刻蚀设备部件的主要原料，双方为产业链上下游关系。有研硅表示，此次并购整合与公司发展战略具有较高的战略契合度和较强的产业协同性，符合国家有关鼓励集成电路产业发展的政策,能够协助有研硅实现技术和市场整合，拓展产业链，为公司今后拓宽产业领域、扩大产业规模产生积极贡献。根据有研硅发布的半年度业绩报告，上半年公司实现营业收入50,716.08 万元，同比下降4.42%，环比增长18.00%；归属于上市公司股东的净利润 13,048.31 万元，同比下降 19.17%，环比增长 40.69%。网页链接现代版精忠报国？有研硅收购日企RST！网页链接 2022年11月10日，福清哥方永义和他的半导体创业团队迎来了一个高光时刻！作为实际控股者，方永义创办的国内半导体材料龙头企业——有研硅半导体材料股份公司（688432）在上海证券交易所科创板IPO上市方永义，福建省福清市高山镇人。他，拥有目前全球最大的晶圆再生制造企业——株式会社RSTechnolo-gies（RS技术）。该企业拥有全球同行业三成以上的市场份额。他，创办的株式会社RSTechnolo-gies，于2016年9月9日在东京证券交易所一部（主板）上市。这是目前海外首家由华人创办的半导体上市企业，也是继1994年福清沙埔籍华侨林康治大型超市集团会社“微笑堂”在福冈证券交易所正式上市后，闽籍华侨华人在日本正式上市的第2家企业。他，2018年1月成功完成混合所有制改革后，担任北京有研艾斯半导体科技有限公司董事长，是今年11月10日在科创板正式上市的有研硅半导体材料股份公司（有研硅）的最大股东并担任董事长。更令人惊异的是，此次在科创板上市的有研硅，已经是其在中国、日本等地上市的第4家公司！ 1988年，未满18岁的方永义就随着那波“出国潮”，前往日本自费留学。在日本的最初几年里，他在兼职打工的同时，始终没有放下书本，读完语言考本科，学完本科攻读研究生。在那最艰苦的岁月里，他遇到了自己一生最珍视的伴侣李秀礼。 1998年，方永义在日本城西国际大学人文学部毕业，获得硕士学位。凭着自己丰富的学识修养和独到的市场嗅觉，他在一家公司就职半年，就开始着手自己创业。这一年，方永义与小时候玩伴共同成立了自己的公司“株式会社永辉商事”。没有人脉，没有资金，没有技术，他们就选择了具有巨大市场潜力的资源再生领域。从回收废旧电脑起步，精打细算，稳健经营，永辉商事赚到了第一桶金。 2010年，永辉商事收购了日本Rasa工业的半导体再生加工部门，同时接收了原有部门的53名员工，并把这些技术人员和一线熟练员工当作宝贝。当年12月，方永义以自己的资产管理公司为中心，在东京成立了株式会社RSTechnologies。是刻意选择还是命运巧合，如今的株式会社RS科技总部坐落在东京大井町最高建筑NT大厦。东京大井町，可是方永义初来乍到日本时的落脚点，大井町的那个街头小公园，曾经有过他露宿街头的小帐篷。当初望着高耸入云的NT大厦，年轻气盛的方永义对着大厦说，总有一天我会买下你。20多年后，当年身无分文的穷小子，已是一个年收入1200亿日元的公司社长，方永义把会社总部安置在这栋大厦里，意味深长。据有关权威资料统计，目前属于半导体或与半导体相关的产业附加值，占到全球生产总值（GDP）10%以上。而晶圆（硅片）被誉为半导体产业的基石。方永义的RS科技，站到了世界经济发展的最前沿。 RS科技主要经营范围涉及电子材料、电子、通信机器部件材料的制造和销售，以及半导体设备和太阳能发电等多个领域。回收再生事业是一项保护生态、造福人类，且前景广阔的事业。他们将废弃的手机、电脑、生产半导体集成零件工段中随意处置的集成电路芯片收集起来，提取其中的晶圆片，然后通过RS科技独特的高科技，将这些使用过的晶圆片“修复”成具有新品一样品质的晶圆片。 2015年3月24日，株式会社RSTechnologies在东京证券交易所创业板Mothers市场上市。RS科技秉持以人为本的经营理念，业绩快速增长，曾跻身“日本2015 Technology Fast 50 成长最快速公司”的前三名。 ▲2015年，RS科技跻身日本当年度50家成长最快速公司前三名 2016年9月9日，株式会社RSTechnologies在东京证券交易所一部（主板）上市。从创业板到主板上市，方永义用了不到一年半的时间，打破了日本制造业史上最快的主板升级纪录。那一年，方永义才44岁。 ▲2016年，RS科技在日本东京证券交易所主板上市。目前，株式会社RS科技占有全球三成以上的市场份额，已发展成为全球最大的晶圆再生制造企业。 2017年，方永义荣登日本著名财经杂志《钻石》特刊榜单，被评为当年度“在日华人十大新闻（人物）”。在这一年的春夏之交，福清市政府经贸考察团来到东京，参观了株式会社RS科技并进行了交流，热忱邀请方永义和他的RS科技团队回到福清投资兴业。与此同时，位于北京的有研科技集团有限公司，也向株式会社RS科技伸出了橄榄枝。 2018年，央企有研科技集团有限公司与株式会社RS科技成功携手，成立了混合所有制股份企业有研硅，共同打造中国大陆半导体硅材料的研发、生产和销售的重要基地。 2019年3月，有研半导体材料有限公司集成电路大尺寸硅材料规模化基地项目签约，并在山东德州经济技术开发区落地。 2019年11月，时任福建省委书记于伟国率领福建省代表团访问日本，作为在日华人华侨代表，方永义出席了相关经贸活动，并与代表团成员、福耀集团创始人曹德旺董事长会面，两位来自福清高山的老乡，热情的手紧紧地握在了一起。 2022年11月10日，有研硅在科创板成功上市。方永义现担任驻日本中国企业协会常务理事、日本中华总商会常务理事、日本福建经济文化促进会常务副会长、福清华侨中学日本校友会名誉会长等。有研硅6月28日科创板首发上会实控人为日本籍

美国官员要求对华为及其他相关公司半导体进行限制外交部回应半导体国产替代核心企业名单！中芯国际国内芯片晶圆代工龙头企业北方华创国内半导体高端设备龙头企业韦尔股份国内第一、全球第三的CIS芯片龙头中微公司国内等离子刻蚀龙头厂商中环股份国内半导体硅片龙头企业 $长电科技 sh600584$国内第一、全球第三的半导体封测华润微国内以IDM模式为主的半导体企业三安光电国内LED芯片国内第一兆易创新国内存储芯片、MCU芯片龙头企业沪硅产业半导体硅片龙头企业华大九天全流程EDA系统龙头企业卓胜微国内第一、全球第五的射频芯片龙圣邦股份国内模拟芯片龙头企业晶盛机电国内单晶硅设备龙头企业闻泰科技并购安世半导体成为半导体行业龙拓荆科技先进PECVD ALD 永久键合设备士兰微功率半导体IDM龙头企业之一经景嘉微国内GPU领军企业通富微电国内第三的半导体封测企业汇顶科技指纹芯片全球第一北京君正国内存储器+处理器龙头企业 $华天科技 sz002185$全球十大之一,国内第二半导体封测晶晨股份国内多媒体芯片龙头企业雅克科技电子特气龙头企业瑞芯微 SoC芯片龙头企业深科技国内最大的内存芯片封测企业长川科技国内半导体测试设备龙头企业鼎龙股份国内CMP抛光垫龙头企业斯达半岛国内IGBT领军企业公南大光电 ArF光刻胶龙头企业捷捷微电国内晶闸管龙头企业安集科技国内抛光液龙头企业精测电子半导体+面板检测设备龙头企业芯源微国内涂胶显影设备龙头厂商立昂微半导体硅片+分立器件龙头企业 $江丰电子 sz300666$国内高纯溅射靶材行业龙头企业晶方科技国内最大的摄像头芯片封测企业露笑科技第三代半导体碳化硅行业投资规模万业企业离子注入机龙头企业至纯科技国内高纯工艺系统领域的龙头企业中颖电子家电主控单芯片MCU领军企业飞凯材料国内电子化学品及液晶材料双领域江化微国内湿电子化学品领军企业阿石创国内镀膜材料稀缺标的企业（以上内容仅为个人记录每天操作情况与观点，不构成投资建议，股市有风险，投资需谨慎！)

沟槽(DeepTrench)刻蚀是一种能够挖出贯通硅晶圆的深洞的刻蚀技术。与其说是先进半导体的前段制程，不如说是来自后段制程的新封装方法以及MEMS等的要求所致。以前，DRAM的集成度为1Mbit的时候，为了在沟槽内形成电容器，通过三维化来保证电容器的面积，沟槽刻蚀技术得以实用化。那个时候最多只有几的深度，但是在TSV的情况下，无论硅晶圆的厚度有多薄，都必须进行数十到上百深度的刻蚀。为此有必要保护通孔的侧壁，刻蚀和沉积交替重复进行的博世(Bosch)工艺，以及将晶片冷却到低温从而抑制自由基的侧面攻击的低温刻蚀等方法被采用。

沙子是怎么形成的 𐟌 你是否想过，小时候在海边玩耍的沙子，如何变成了你手机里的硅衬底？这个过程其实非常奇妙，涉及多个复杂的步骤。让我们一起来探索一下这个过程吧！ 𐟔 原料提纯首先，我们需要获取纯净的硅原料。沙子（主要成分是二氧化硅，即SiO₂）是制造硅衬底的理想起始材料。通过高温还原反应，将沙子与焦炭、煤炭或木屑等还原剂混合，放入石墨电弧炉中进行加热，温度高达1900℃以上。在这个高温下，沙子会通过化学反应转化为硅。不过，这时候得到的硅纯度可能还不够高（最高约98%），需要通过物理或化学方法进一步提纯，以达到制造硅衬底的要求。 𐟓– 硅棒制造提纯后的硅被熔化并倒入模具中，冷却后形成硅锭（硅棒）。硅锭的直径和长度可以根据需要进行调整，通常为8英寸或12英寸等标准尺寸。这一步是制造高质量硅片的基础。 𐟔ꠧᅧ‰‡切割与抛光硅锭被切割成薄片，即硅片。这一步骤需要使用极为锋利的刀具，以确保切片的厚度均匀且低于0.8mm。切割后的硅片表面可能较为粗糙，需要通过物理磨削和抛光工艺进行处理，以获得光滑、平整的硅片表面。 𐟓𒠧ᅨᬥ𚕤𘎨Š柳‡的关系硅衬底是芯片制造中的重要载体。通过一系列复杂的工艺，将电路图案刻蚀在硅片上，最终形成芯片。而这一切，都离不开小时候在海边玩耍的沙子。 𐟌ˆ 总结从沙子到硅衬底，每一步都充满了科学和技术。了解这个过程，不仅让我们对材料科学有了更深的了解，也让我们意识到，生活中的许多物品都是由看似平凡的材料经过精心加工而成。

专栏内容推荐

1000 x 657 · gif
一种深硅刻蚀方法与流程
素材来自:xjishu.com
1000 x 751 · gif
一种深硅刻蚀工艺的制作方法
素材来自:xjishu.com

641 x 590 · png
硅深刻蚀工艺-清华大学微纳加工中心
素材来自:tnf.ime.tsinghua.edu.cn
508 x 379 · png
深硅刻蚀|IBE刻蚀|金属刻蚀|RIE刻蚀|ICP刻蚀|NLD刻蚀|顶旭微纳
素材来自:dxfluidics.com

1000 x 433 · gif
一种深硅刻蚀方法与流程
素材来自:xjishu.com

768 x 616 · jpeg
提供微纳刻蚀服务 - 超100家校企选择我们 - AccSci英生科技
素材来自:accscicn.com
1746 x 1045 · jpeg
一种深硅刻蚀方法及设备与流程
素材来自:xjishu.com

2221 x 2115 · jpeg
深硅刻蚀机 - 产品管理 - 北方华创
素材来自:naura.com
1000 x 707 · gif
深硅孔刻蚀方法与流程
素材来自:xjishu.com

1000 x 611 · gif
深硅刻蚀方法及硅基MEMS运动传感器的制造方法与流程
素材来自:xjishu.com
1468 x 1536 · png
深硅刻蚀|IBE刻蚀|金属刻蚀|RIE刻蚀|ICP刻蚀|NLD刻蚀|顶旭微纳
素材来自:dxfluidics.com

2000 x 1333 · jpeg
The Silicon Supply Chain
素材来自:waferworld.com
1363 x 1280 · jpeg
镀膜案例-紫外光刻-深硅刻蚀-材料刻蚀-真空镀膜-磁控溅射-晶圆键合-快速退火-广东省科学院半导体研究所
素材来自:gdisit.com

750 x 750 · jpeg
科研级别硅通孔TSV技术/深硅刻蚀代加工/高密度封装技术代加工科研实验微纳器件加工 MEMS芯片代工芯片实验室生物芯片|价格|厂家|多少钱 ...
素材来自:51pla.com
900 x 714 · gif
MEMS专区
素材来自:migelab.com

1000 x 491 · gif
一种MEMS的深硅刻蚀方法与流程
素材来自:xjishu.com

439 x 181 · png
七星电子深硅刻蚀设备成功进入海外生产线 - 企业新闻 - 行业前沿
素材来自:naura.com
830 x 622 · jpeg
深硅刻蚀|IBE刻蚀|金属刻蚀|RIE刻蚀|ICP刻蚀|NLD刻蚀|顶旭微控
素材来自:dxfluidics.com

598 x 453 · gif
深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件与流程
素材来自:xjishu.com
872 x 802 · jpeg
硅深刻蚀工艺-清华大学微纳加工中心
素材来自:tnf.ime.tsinghua.edu.cn

2595 x 2250 · jpeg
深硅刻蚀机 - 产品管理 - 北方华创
素材来自:www-a.naura.com
1000 x 606 · gif
超高深宽比图形的光刻工艺方法与流程
素材来自:xjishu.com

750 x 750 · jpeg
科研级别硅通孔TSV技术/深硅刻蚀代加工/高密度封装技术代加工科研实验微纳器件加工 MEMS芯片代工芯片实验室生物芯片|价格|厂家|多少钱 ...
素材来自:51pla.com
1080 x 601 · jpeg
半导体刻蚀设备国产化_行业动态_新闻动态_上海君桐股权投资管理有限公司
素材来自:juntong-capital.com

768 x 534 · png
深硅刻蚀|IBE刻蚀|金属刻蚀|RIE刻蚀|ICP刻蚀|NLD刻蚀|顶旭微控
素材来自:dxfluidics.com
1000 x 1292 · png
一文读懂干法刻蚀ICP - 苏州汇杰紫芯光电有限公司
素材来自:b-uv.com

1080 x 810 · jpeg
16刻蚀_word文档在线阅读与下载_免费文档
素材来自:mianfeiwendang.com
1000 x 853 · gif
一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备的制作方法
素材来自:xjishu.com

1000 x 896 · gif
沟槽刻蚀的方法与流程
素材来自:xjishu.com
823 x 618 · png
深硅刻蚀|IBE刻蚀|金属刻蚀|RIE刻蚀|ICP刻蚀|NLD刻蚀|顶旭微纳
素材来自:dxfluidics.com

1450 x 1212 · jpeg
NMC612D 12英寸硅刻蚀机 NMC612D 12 Inch Si Etcher - 等离子刻蚀设备 Etcher - 半导体装备 ...
素材来自:naura.com
449 x 491 · jpeg
深硅刻蚀bosch工艺 - 查词猫
素材来自:chacimao.com

750 x 750 · jpeg
科研级别硅通孔TSV技术/深硅刻蚀代加工/高密度封装技术代加工科研实验微纳器件加工 MEMS芯片代工芯片实验室生物芯片|价格|厂家|多少钱 ...
素材来自:51pla.com
750 x 750 · jpeg
TEL二手翻新现货深硅蚀刻 12英寸晶圆刻蚀机TELIUS SP 308QS
素材来自:b2bwork.baidu.com

726 x 800 · png
DSE200系列等离子刻蚀机 DSE200 Series Plasma Etcher - 等离子刻蚀设备 Etcher - 半导体装备 ...
素材来自:naura.com

素材来自:查看更多內容

当前用户设备UA：Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)